4月18日，據(jù)電子科技大學(xué)信息與量子實驗室透露，該實驗室的研究團(tuán)隊攜手清華大學(xué)以及中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，在國際舞臺上首次成功研制出氮化鎵量子光源芯片。這一創(chuàng)新成果標(biāo)志著電子科技大學(xué)“銀杏一號”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺又向前邁進(jìn)了一大步，相關(guān)研究成果已近期在《物理評論快報》上發(fā)布。

量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)不可或缺的核心元件，其作用猶如點亮“量子世界”的“明燈”，為互聯(lián)網(wǎng)用戶提供了進(jìn)行量子信息交互的可能性。研究團(tuán)隊通過不斷精進(jìn)電子束曝光和干法刻蝕工藝，克服了高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等一系列技術(shù)障礙，成功將氮化鎵材料應(yīng)用于量子光源芯片，這在國際范圍內(nèi)尚屬首次。

目前，量子光源芯片的研發(fā)多依賴于氮化硅等材料。相較之下，氮化鎵量子光源芯片在輸出波長范圍等核心參數(shù)上取得了顯著突破。其輸出波長范圍從原先的25.6納米擴(kuò)展至100納米，且有望向單片集成方向發(fā)展。這一技術(shù)的突破無疑為量子互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展注入了新的活力。